低能注量X射线辐照下圆柱腔内辐射环境及IEMP的模拟研究

O434.14; 通过MCNP程序模拟计算了低能注量X射线辐照圆柱腔外端面并透射进入腔体时,腔内各作用面的综合辐照环境及电子发射参数.结合3维粒子模拟(PIC)程序,对多发射面作用下圆柱腔内电磁场和粒子分布进行了模拟计算,并与仅存在上端面电子发射时的电磁场结果进行对比.结果表明,在实际情况下,圆柱侧壁和下端面会发射大量电子,能将上端面中心处的轴向电场强度增大至仅上端面发射电子时的2倍,而由于此时腔内多发射面作用下电流方向的复杂化,磁场强度则略微减小.同时,比较了由MCNP计算得到的前向散射电子能谱和部分文献采用的近似能谱,分别提供电子发射速度时内电磁脉冲(IEM P)的电场强度波形.结果表明,...

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Published in原子能科学技术 Vol. 55; no. 2; pp. 360 - 368
Main Authors 陈剑楠, 陈再高, 任泽平, 乔海亮, 杨超
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 西北核技术研究院 ,陕西 西安 710024 20.02.2021
Subjects
电磁场
发射面
粒子分布
粒子模拟程序
内电磁脉冲
MCNP
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2020.youxian.0230

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Summary:O434.14; 通过MCNP程序模拟计算了低能注量X射线辐照圆柱腔外端面并透射进入腔体时,腔内各作用面的综合辐照环境及电子发射参数.结合3维粒子模拟(PIC)程序,对多发射面作用下圆柱腔内电磁场和粒子分布进行了模拟计算,并与仅存在上端面电子发射时的电磁场结果进行对比.结果表明,在实际情况下,圆柱侧壁和下端面会发射大量电子,能将上端面中心处的轴向电场强度增大至仅上端面发射电子时的2倍,而由于此时腔内多发射面作用下电流方向的复杂化,磁场强度则略微减小.同时,比较了由MCNP计算得到的前向散射电子能谱和部分文献采用的近似能谱,分别提供电子发射速度时内电磁脉冲(IEM P)的电场强度波形.结果表明,能谱的改变会对电磁场带来极大的改变,故建议通过相关蒙特卡罗(MC)程序计算IEMP电子发射能谱.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2020.youxian.0230