基于单一气源的PECVD方法制备SiC薄膜及其微观结构研究

• Published in: 原子能科学技术 Vol. 56; no. 7; pp. 1473 - 1482
• Main Authors: 李子曦, 黄景林, 谢春平, 邓承付, 易泰民, 易勇, 杜凯
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900 01.07.2022; 西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621010%中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900%西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621010
• Subjects: 等离子体增强化学气相沉积法; 单一气源; 工作压强; SiC薄膜
• ISSN: 1000-6931
• DOI: 10.7538/yzk.2021.youxian.0403

O469; 为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的SiC薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备SiC薄膜.利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱对薄膜进行表征与分析.结果表明:SiC薄膜的成分与工作压强密切相关,随着工作压强的增加,薄膜中Si含量整体呈下降趋势;随着工作压强的增加,薄膜沉积速率先增大后减少,密度先减小后增大;与其他制备工艺相比,采用单一气源制备SiC薄膜,其表面粗糙度极低(1.25～1.85 nm),薄膜粗糙度随工作压强的增加呈先增大后减小的趋势.