一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术

TL99%TN386.1; 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术.CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能.基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kbSRAM验证芯片.辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV· cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域....

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Published in原子能科学技术 Vol. 57; no. 12; pp. 2241 - 2253
Main Authors 叶甜春, 李博, 刘凡宇, 李多力, 李彬鸿, 陈思远
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院微电子研究所,北京 100029 01.12.2023
中国科学院大学,北京 100049
中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029%中国科学院微电子研究所,北京 100029
中国科学院大学,北京 100049%中国科学院微电子研究所,北京 100029
中国科学院硅器件技术重点实验室,北京 100029
Subjects
可配置SOI
总剂量效应
configurable SOI
total ionizing dose
single event effect
抗辐照
radiation hardness
单粒子效应
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2023.youxian.0698

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Summary:TL99%TN386.1; 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术.CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能.基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kbSRAM验证芯片.辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV· cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2023.youxian.0698