金相制备工艺对纳米氧化锆涂层显微组织评定的影响

TG174.4; 为制备出能够表征所分析样品真实状态的金相试样,从而对涂层的显微组织作出准确评价,以纳米氧化锆涂层为研究对象,采用不同镶嵌方式制备金相样品,基于正交试验研究不同磨抛工艺参数对涂层显微组织评定的影响,并通过纳米CT法测量涂层的孔隙率,对其结果进行验证.结果表明:采用真空冷镶嵌方式可显著减少涂层颗粒的脱落,影响涂层孔隙率的因素从大到小排序依次为粗磨时研磨盘转数、粗磨时夹具转数、粗抛时间、研磨及粗抛时压力.优化后最佳磨抛工艺参数如下:研磨及粗抛时压力为15 N,粗磨时研磨盘转数为200 r/min,粗磨时夹具转数为50 r/min,粗抛时间为9 min.此工艺下涂层孔隙率为4.26％...

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Published in材料保护 Vol. 57; no. 6; pp. 139 - 146
Main Authors 李双月, 常辉, 王俊哲, 崔凤静, 贾博文, 栾胜家, 张甲, 徐娜, 高明浩, 常新春
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院金属研究所,辽宁 沈阳 110016 15.06.2024
Subjects
显微组织
microstructure
nano-CT method
纳米氧化锆涂层
porosity
金相制备
孔隙率
纳米CT法
nano-zirconia coating
metallographic preparation
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ISSN1001-1560
DOI10.16577/j.issn.1001-1560.2024.0137

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Summary:TG174.4; 为制备出能够表征所分析样品真实状态的金相试样,从而对涂层的显微组织作出准确评价,以纳米氧化锆涂层为研究对象,采用不同镶嵌方式制备金相样品,基于正交试验研究不同磨抛工艺参数对涂层显微组织评定的影响,并通过纳米CT法测量涂层的孔隙率,对其结果进行验证.结果表明:采用真空冷镶嵌方式可显著减少涂层颗粒的脱落,影响涂层孔隙率的因素从大到小排序依次为粗磨时研磨盘转数、粗磨时夹具转数、粗抛时间、研磨及粗抛时压力.优化后最佳磨抛工艺参数如下:研磨及粗抛时压力为15 N,粗磨时研磨盘转数为200 r/min,粗磨时夹具转数为50 r/min,粗抛时间为9 min.此工艺下涂层孔隙率为4.26％,显著减少了涂层颗粒的脱落,能够制备出反映涂层真实显微组织结构的金相样品,达到了准确评价涂层性能的目的.纳米CT法检测结果与本方法相符.
ISSN:1001-1560
DOI:10.16577/j.issn.1001-1560.2024.0137