主成分分析及聚类方法在碲镉汞晶片参数判别中的应用研究

O471.2%TP311; 基于主成分分析和聚类方法提出了一种碲镉汞晶片参数筛选方法,建立了对碲镉汞晶片参数进行筛选的数据模型,模型中通过对初始晶片数据进行清洗和分析,利用主成分分析(PCA)降维法和基于密度的聚类算法(DBSCAN),确定了晶片数据中最密集的区域.同时利用流片后得到高性能芯片的优质碲镉汞晶片参数拟合边界椭圆曲线,并将其作为优质晶片的判断标准,能够根据输入的晶片电学和光学参数生成晶片评级,得到了大于90%的覆盖率....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 4; pp. 490 - 496
Main Authors 吴佳昊, 乔辉, 李向阳
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083 01.08.2024
上海科技大学 信息科学与技术学院,上海 201210%中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
Subjects
碲镉汞
晶片筛选
crystal parameter selection
主成分分析
聚类
HgCdTe
principal component analysis
clustering analysis
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.04.008

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Summary:O471.2%TP311; 基于主成分分析和聚类方法提出了一种碲镉汞晶片参数筛选方法,建立了对碲镉汞晶片参数进行筛选的数据模型,模型中通过对初始晶片数据进行清洗和分析,利用主成分分析(PCA)降维法和基于密度的聚类算法(DBSCAN),确定了晶片数据中最密集的区域.同时利用流片后得到高性能芯片的优质碲镉汞晶片参数拟合边界椭圆曲线,并将其作为优质晶片的判断标准,能够根据输入的晶片电学和光学参数生成晶片评级,得到了大于90%的覆盖率.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.04.008