高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究

TN215; 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况.通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位ln掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器.利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 42; no. 5; pp. 588 - 593
Main Authors 覃钢, 秦强, 何天应, 宋林伟, 左大凡, 杨超伟, 李红福, 李轶民, 孔金丞, 赵鹏, 赵俊
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 昆明物理研究所,云南昆明 650223 01.10.2023
Subjects
碲镉汞
高工作温度
有效像元率
NETD
high operating temperature
MWIR
中波红外
HgCdTe
噪声等效温差
operability
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2023.05.004

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Summary:TN215; 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况.通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位ln掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器.利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.05.004