不同生长条件对CdTe/GaAs外延薄膜表面形貌和光学性质的影响

O47; 本文利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上外延CdTe(211)薄膜,系统研究不同工艺条件对CdTe 外延薄膜的表面形貌和光学性质的影响.研究表明,在一定的生长温度下,在Te气氛下生长CdTe薄膜,增加CdTe:Te的束流比,可显著降低CdTe表面金字塔缺陷的尺寸和密度,当CdTe 和Te束流比为6.5时,金字塔缺陷几乎消失,材料的表面平整度显著改善,X射线衍射(XRD)也表明CdTe晶体质量显著提高.进一步的拉曼光谱表明,随着CdTe和Te束流比的增加,Te的A1峰减弱,CdTe LO和TO声子峰强度比增强.低温光致发光光谱(PL)研究也表明随着CdTe和Te束流比的增加,...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 1; pp. 29 - 35
Main Authors 朱辰玮, 刘欣扬, 巫艳, 左鑫荣, 范柳燕, 陈平平, 秦晓梅
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083%中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083%上海师范大学 数理学院物理系,上海 200233 2024
上海师范大学 数理学院物理系,上海 200233
Subjects
molecular beam epitaxy
分子束外延
surface defects
fluorescence spectroscopy
荧光光谱
Raman spectroscopy
CdTe
表面缺陷
拉曼光谱
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.005

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Summary:O47; 本文利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上外延CdTe(211)薄膜,系统研究不同工艺条件对CdTe 外延薄膜的表面形貌和光学性质的影响.研究表明,在一定的生长温度下,在Te气氛下生长CdTe薄膜,增加CdTe:Te的束流比,可显著降低CdTe表面金字塔缺陷的尺寸和密度,当CdTe 和Te束流比为6.5时,金字塔缺陷几乎消失,材料的表面平整度显著改善,X射线衍射(XRD)也表明CdTe晶体质量显著提高.进一步的拉曼光谱表明,随着CdTe和Te束流比的增加,Te的A1峰减弱,CdTe LO和TO声子峰强度比增强.低温光致发光光谱(PL)研究也表明随着CdTe和Te束流比的增加,Cd空位的减少可以使与杂质能级相关的深能级区域的峰强降低,与此同时和晶体质量相关的自由激子峰半峰全宽减少,材料的光学质量明显改善.该研究为探索CdTe/GaAs外延材料的理想的工艺窗口以及相关机理,并为进一步以此为缓冲层外延高质量HgCdTe材料提供基础.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.005