改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料

TN213; 研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型.通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料.针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构.与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰全宽达到28.8 arcsec....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 3; pp. 307 - 315
Main Authors 霍勤, 韩红强, 张诚, 焦翠灵, 王仍, 毛铖铭, 陆液, 陈心恬, 乔辉, 李向阳
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083 01.06.2024
Subjects
碲镉汞
LPE
composition gradient
液相外延
组分梯度
二次离子质谱
SIMS
Hg1-xCdxTe
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.03.003

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Summary:TN213; 研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型.通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料.针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构.与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰全宽达到28.8 arcsec.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.03.003