谐振腔增强带间级联中红外发光二极管的研究

TN304.2%TN305; 本文对基于带间级联结构和谐振腔结构的中红外发光二极管进行了仿真和设计.在传统带间级联发光二极管的基础上,从器件外部引入分布布拉格反射镜(DBR)谐振腔结构,形成谐振腔带间级联发光二极管.对谐振腔参数进行仿真优化,包括DBR周期数、谐振腔的腔长、有源区在谐振腔中的位置等.结果表明,使用单周期ZnS/Ge DBR作为谐振腔上反射镜的器件输出功率最大,有源区置于谐振腔内部电场强度波峰处时,器件的输出功率最大,三级谐振腔带间级联LED器件的输出功率与55级无谐振腔器件输出功率相当,其光束发散角的半峰全宽可以从92度减小到52度.结合已生长的5级带间级联LED器件的测试结果...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 42; no. 6; pp. 724 - 730
Main Authors 张旺霖, 柴旭良, 周易, 裴金狄
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024%国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024 2023
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
Subjects
light emitting diode
发光二极管
带间级联
radiation enhancement
辐射增强
resonant cavity
interband cascade
谐振腔
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2023.06.003

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Summary:TN304.2%TN305; 本文对基于带间级联结构和谐振腔结构的中红外发光二极管进行了仿真和设计.在传统带间级联发光二极管的基础上,从器件外部引入分布布拉格反射镜(DBR)谐振腔结构,形成谐振腔带间级联发光二极管.对谐振腔参数进行仿真优化,包括DBR周期数、谐振腔的腔长、有源区在谐振腔中的位置等.结果表明,使用单周期ZnS/Ge DBR作为谐振腔上反射镜的器件输出功率最大,有源区置于谐振腔内部电场强度波峰处时,器件的输出功率最大,三级谐振腔带间级联LED器件的输出功率与55级无谐振腔器件输出功率相当,其光束发散角的半峰全宽可以从92度减小到52度.结合已生长的5级带间级联LED器件的测试结果,增加谐振腔结构后的仿真结果表明,峰值波长的辐射强度增强11.7倍,积分辐射强度增强5.43倍,光谱的半峰宽变窄6.45倍.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.06.003