p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究

TN215; As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R0A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势.介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R0A等性能参数进行测试分析.测试结果表明,器件的有效像元率在99.78％～99.9％之间,器件的NETD均小于21 mK.实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 3; pp. 534 - 539
Main Authors 李立华, 熊伯俊, 杨超伟, 李雄军, 万志远, 赵鹏, 刘湘云
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 昆明物理研究所,昆明650223 01.06.2022
Subjects
焦平面性能测试
碲镉汞红外探测器
NETD
暗电流
p-on-n长波器件
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.03.002

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Summary:TN215; As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R0A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势.介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R0A等性能参数进行测试分析.测试结果表明,器件的有效像元率在99.78％～99.9％之间,器件的NETD均小于21 mK.实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.03.002