平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究

TN215; 在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析.此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异.在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 1; pp. 262 - 268
Main Authors 张帅君, 李天信, 王文静, 李菊柱, 邵秀梅, 李雪, 郑时有, 庞越鹏, 夏辉
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 01.02.2022
上海师范大学数理学院,上海200234%中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083%上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
Subjects
扫描电容显微(SCM);InGaAs平面型探测器;扩散行为;光电流响应
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.020

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Summary:TN215; 在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析.此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异.在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.020