高工作温度碲镉汞p-on-n中波1024×768焦平面探测器

TN215; 提高红外探测器的工作温度对于减小红外系统的尺寸、重量和功耗至关重要,进而实现结构紧凑和成本低廉的红外系统.昆明物理研究所多年来对掺铟和砷离子注入技术的HgCdTe p-on-n技术进行了优化,实现了性能优异的中波红外探测器的研制.本文报道了高工作温度中波1024×768@10 μm红外焦平面阵列探测器的最新结果,并介绍了在150 K工作温度下的器件性能.结果标明,器件在150 K下截止波长为4.97 μm,并测得了不同工作温度下的NETD、暗电流和有效像元率.此外,还展示了在150 K的工作温度下焦平面器件的红外图像,并呈现了99.4%的有效像元率....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 42; no. 6; pp. 711 - 715
Main Authors 何天应, 秦强, 孔金丞, 覃钢, 杨超伟, 王向前, 李红福, 王琼芳, 李永亮, 杨翼虎, 李轶民, 宋林伟, 杨秀华, 罗云, 陈楠, 胡旭, 赵俊, 赵鹏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 昆明物理研究所,云南 昆明 650223 2023
Subjects
碲镉汞
高工作温度
NETD
dark current
MWIR
中波红外
HgCdTe
噪声等效温差
暗电流
HOT
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2023.06.001

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Summary:TN215; 提高红外探测器的工作温度对于减小红外系统的尺寸、重量和功耗至关重要,进而实现结构紧凑和成本低廉的红外系统.昆明物理研究所多年来对掺铟和砷离子注入技术的HgCdTe p-on-n技术进行了优化,实现了性能优异的中波红外探测器的研制.本文报道了高工作温度中波1024×768@10 μm红外焦平面阵列探测器的最新结果,并介绍了在150 K工作温度下的器件性能.结果标明,器件在150 K下截止波长为4.97 μm,并测得了不同工作温度下的NETD、暗电流和有效像元率.此外,还展示了在150 K的工作温度下焦平面器件的红外图像,并呈现了99.4%的有效像元率.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.06.001