室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

TN312+.7; 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构.通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲概率(APP)为0.89%.此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 1; pp. 1 - 6
Main Authors 祁雨菲, 王文娟, 孙京华, 武文, 梁焰, 曲会丹, 周敏, 陆卫
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083 2024
中国科学院大学杭州高等研究院,浙江 杭州 310024
上海理工大学,上海 200093%上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093%中国科学院大学杭州高等研究院,浙江 杭州 310024
中国科学院大学,北京 100049%中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083%中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
Subjects
光子探测效率
single photon avalanche diode
after-pulse probability
photon detection efficiency
dark count rate
暗计数率
单光子雪崩二极管
后脉冲概率
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.001

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Summary:TN312+.7; 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构.通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲概率(APP)为0.89%.此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.001