基于超材料的多频带可调谐太赫兹吸收器

O436; 设计了一种多频带可调谐的太赫兹超材料吸收器.在超材料吸收器的结构中,引入光敏半导体硅材料,设计特殊的顶层金属谐振器,分析开口长度、线宽、介质层厚度等参数尺寸对太赫兹超材料吸收器的吸收光谱特性影响.根据光照与光敏半导体硅电导率之间的关系,研究太赫兹超材料吸收器的频率调谐特性.仿真结果得到太赫兹波段的12个吸收频率调制,其中有10处吸收峰的吸收率超过90%近完美吸收,且有6处吸收率达到99%的完美吸收,而且吸收率调制深度和相对带宽分别达到85.9%和85.5%,具有很强的可调谐特性.设计的光激励太赫兹超材料吸收器结构简单,具有多频带可调谐和完美吸收特性,扩大了吸收器的应用范围....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 39; no. 6; pp. 735 - 741
Main Authors 佟艳群, 汪诗妍, 宋效先, 杨磊, 姚建铨, 叶云霞, 任云鹏, 张雅婷, 辛姗姗, 任旭东
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 江苏大学机械工程学院,江苏镇江 212013%江苏大学微纳光电子与太赫兹技术研究院,江苏镇江 212013 01.12.2020
江苏大学机械工程学院,江苏镇江 212013
天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072%江苏大学机械工程学院,江苏镇江 212013%江苏大学微纳光电子与太赫兹技术研究院,江苏镇江 212013
天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072
江苏大学微纳光电子与太赫兹技术研究院,江苏镇江 212013
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2020.06.011

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Summary:O436; 设计了一种多频带可调谐的太赫兹超材料吸收器.在超材料吸收器的结构中,引入光敏半导体硅材料,设计特殊的顶层金属谐振器,分析开口长度、线宽、介质层厚度等参数尺寸对太赫兹超材料吸收器的吸收光谱特性影响.根据光照与光敏半导体硅电导率之间的关系,研究太赫兹超材料吸收器的频率调谐特性.仿真结果得到太赫兹波段的12个吸收频率调制,其中有10处吸收峰的吸收率超过90%近完美吸收,且有6处吸收率达到99%的完美吸收,而且吸收率调制深度和相对带宽分别达到85.9%和85.5%,具有很强的可调谐特性.设计的光激励太赫兹超材料吸收器结构简单,具有多频带可调谐和完美吸收特性,扩大了吸收器的应用范围.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2020.06.011