离子液体电沉积制备Cu掺杂NiO电致变色薄膜及其性能

O484; NiO是一种常见的电致变色材料,元素掺杂改性是改善 NiO薄膜电致变色性能的重要方法.以离子液体为介质,采用电沉积法制备Cu掺杂NiO薄膜,并研究Cu元素掺杂对NiO薄膜电致变色性能的影响.结果表明:Cu掺杂NiO薄膜的电致变色性能相较于纯 NiO薄膜有明显提升.Cu 掺杂含量为 6%(原子分数,下同)时,薄膜光调制范围最大,为54.7%,着色效率最高,为 61.54 cm2/C,Cu掺杂含量为 12%时,薄膜的着褪色响应时间最短,分别达到2.7s与 2.6 s.薄膜的物相结构为面心立方晶相 Ni1-xCuxO,由纳米粒子堆积而成,表面存在大量利于离子扩散的孔隙....

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Published in材料工程 Vol. 51; no. 7; pp. 171 - 177
Main Authors 张宇, 刘滢, 张博, 郭新涛
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国航空制造技术研究院 材料应用研究部,北京 100024 01.07.2023
Subjects
ionic liquid
电致变色
电沉积法
掺杂
NiO
electrochromism
doping
离子液体
electrodeposition
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Summary:O484; NiO是一种常见的电致变色材料,元素掺杂改性是改善 NiO薄膜电致变色性能的重要方法.以离子液体为介质,采用电沉积法制备Cu掺杂NiO薄膜,并研究Cu元素掺杂对NiO薄膜电致变色性能的影响.结果表明:Cu掺杂NiO薄膜的电致变色性能相较于纯 NiO薄膜有明显提升.Cu 掺杂含量为 6%(原子分数,下同)时,薄膜光调制范围最大,为54.7%,着色效率最高,为 61.54 cm2/C,Cu掺杂含量为 12%时,薄膜的着褪色响应时间最短,分别达到2.7s与 2.6 s.薄膜的物相结构为面心立方晶相 Ni1-xCuxO,由纳米粒子堆积而成,表面存在大量利于离子扩散的孔隙.
ISSN:1001-4381
DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2021.001120