多元施主掺杂对直流ZnO压敏陶瓷结构与电气性能的影响

TM862; 采用传统的陶瓷烧结工艺制备B2 O3,In2 O3,Al2 O3多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1％ ～0.4％,摩尔分数)的B2 O3对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱及数字源表等分别对样品的物相、微观形貌、成分及电性能进行表征.结果表明,多元施主掺杂剂(Al2 O3,In2 O3和B2 O3)的共掺杂明显改善直流ZnO压敏陶瓷的综合性能,其中,Al3+提高样品的电导率,降低样品的残压比;In3+通过钉扎效应限制晶粒的生长,改善样品的电压梯度;B3+的掺杂增加样品的表面态密度,提高势垒...

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Published in材料工程 Vol. 50; no. 8; pp. 153 - 159
Main Authors 程宽, 赵洪峰, 周远翔
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 新疆大学电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室,乌鲁木齐830046%清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室,北京100084 20.08.2022
Subjects
晶粒
残压比
电导率
表面态密度
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ISSN1001-4381
DOI10.11868/j.issn.1001-4381.2020.001042

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Summary:TM862; 采用传统的陶瓷烧结工艺制备B2 O3,In2 O3,Al2 O3多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1％ ～0.4％,摩尔分数)的B2 O3对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱及数字源表等分别对样品的物相、微观形貌、成分及电性能进行表征.结果表明,多元施主掺杂剂(Al2 O3,In2 O3和B2 O3)的共掺杂明显改善直流ZnO压敏陶瓷的综合性能,其中,Al3+提高样品的电导率,降低样品的残压比;In3+通过钉扎效应限制晶粒的生长,改善样品的电压梯度;B3+的掺杂增加样品的表面态密度,提高势垒高度并有效抑制泄漏电流的增加.B2 O3掺杂量为0.3％ 时,样品的综合性能最优:电压梯度为486 V/mm,泄漏电流密度为0.58μA/cm2,非线性系数为85,残压比为1.55.
ISSN:1001-4381
DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2020.001042