4NiO-B2O3-V2O5低温烧结微波介质陶瓷的烧结特性、相结构和微波介电性能研究

TQ174; 以分析纯的B2 O3、V2 O5和NiO为原料,采用传统的固相反应法制备了4NiO-B2 O3-V2 O5微波介质陶瓷.利用SEM、XRD和微波网络分析仪分别对材料的烧结行为、微观结构、相变特性和微波介电性能进行了系统的研究.结果表明,4NiO-B2 O3-V2 O5陶瓷为复相结构.当烧结温度由575℃升高至675℃时,样品的体积密度、品质因素(Q×f)和谐振频率温度系数(τf)值呈现出先增大后减小的趋势,εr一直减小.当烧结温度为650℃时,陶瓷具有最佳的微波介电性能:Q×f=19692 GHz,εr=4.9,τf=-20×10-6/℃.低的烧结温度、优异的微波介电性能表明4N...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in功能材料 Vol. 50; no. 6; pp. 135 - 138
Main Authors 卢承铭, 周焕福, 张海林, 李诗轩, 邓积极
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 桂林理工大学 材料科学与工程学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西 桂林 541004 30.06.2019
Subjects
4NiO-B2O3-V2O5
微波介质陶瓷
相结构
低温烧结
Online AccessGet full text
ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2019.06.023

Cover

More Information
Summary:TQ174; 以分析纯的B2 O3、V2 O5和NiO为原料,采用传统的固相反应法制备了4NiO-B2 O3-V2 O5微波介质陶瓷.利用SEM、XRD和微波网络分析仪分别对材料的烧结行为、微观结构、相变特性和微波介电性能进行了系统的研究.结果表明,4NiO-B2 O3-V2 O5陶瓷为复相结构.当烧结温度由575℃升高至675℃时,样品的体积密度、品质因素(Q×f)和谐振频率温度系数(τf)值呈现出先增大后减小的趋势,εr一直减小.当烧结温度为650℃时,陶瓷具有最佳的微波介电性能:Q×f=19692 GHz,εr=4.9,τf=-20×10-6/℃.低的烧结温度、优异的微波介电性能表明4NiO-B2 O3-V2 O5陶瓷可以作为滤波器、谐振器等微波器件的备选材料.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2019.06.023