C/C复合材料表面改性薄膜的制备及摩擦磨损性能研究

TB332; 采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3 N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC薄膜和Si3 N4薄膜在干态下的摩擦磨损性能.结果表明,制备的SiC薄膜和Si3 N4薄膜表面结构均匀致密,无明显缺陷.C/C复合材料基底的平均摩擦系数为0.17,磨损率为1.93×10-4 mm3·N-1·m-1;SiC薄膜的平均摩擦系数为0.13,磨损率为0.78×10-4 mm3·N-1·m-1;Si3 N4薄膜的平均摩擦系数为0.12,磨损率为0.45×10-4 mm3·N-1·m-1.与C/C复合材料基底相比,SiC薄膜和Si3...

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Published in功能材料 Vol. 51; no. 9; pp. 9012 - 9017
Main Authors 袁璞, 李红, 杨敏, 任慕苏, 孙晋良
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 上海大学 复合材料研究中心,上海 200072 30.09.2020
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Summary:TB332; 采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3 N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC薄膜和Si3 N4薄膜在干态下的摩擦磨损性能.结果表明,制备的SiC薄膜和Si3 N4薄膜表面结构均匀致密,无明显缺陷.C/C复合材料基底的平均摩擦系数为0.17,磨损率为1.93×10-4 mm3·N-1·m-1;SiC薄膜的平均摩擦系数为0.13,磨损率为0.78×10-4 mm3·N-1·m-1;Si3 N4薄膜的平均摩擦系数为0.12,磨损率为0.45×10-4 mm3·N-1·m-1.与C/C复合材料基底相比,SiC薄膜和Si3 N4薄膜的摩擦系数和磨损率都有所降低.C/C复合材料基底的摩擦磨损机理主要以磨粒磨损和粘着磨损为主,SiC和Si3 N4薄膜的摩擦磨损机理主要以疲劳磨损为主.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2020.09.003