Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应

O472; 研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试.研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小.掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍.Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大....

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Bibliographic Details
Published in功能材料 Vol. 50; no. 5; pp. 5001 - 5005
Main Authors 姜晓彤, 鲁林芝, 谢长生
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 华中科技大学 材料科学与工程学院,武汉,430074 30.05.2019
Subjects
Ni掺杂
ZnO
光响应度
纳米棒阵列膜
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2019.05.001

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Summary:O472; 研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试.研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小.掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍.Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2019.05.001