保護酸化, 水素終端したシリコンの水素中加熱処理による表面清浄化とエピタキシャル成長

エピタキシャル成長炉投入前処理として, オゾン超純水による保護酸化膜形成, または希弗酸による水素終端をシリコンウェーハに施した. エピタキシャル成長炉投入前処理前後で酸化膜厚さ (XPSによる酸素分析), 清浄度 (XPSによるO, C分析) とマイクロラフネス (AFM) を評価した. その後, エピタキシャル成長炉に投入し, 水素中加熱処理を行った. 保護酸化膜を形成したウェーハでは950℃, 5min, 水素終端ウェーハでは950℃, 1min程度の水素中加熱で清浄かつ平滑な表面が得られた. さらに, モノシランガスにより, シリコンエピタキシャル成長を行った. 950℃, 1.01×...

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Published in化学工学論文集 Vol. 26; no. 6; pp. 754 - 757
Main Authors 今井, 正人, 井上, 和俊, 黛, 雅典, 中原, 信司
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 化学工学会 10.11.2000
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ISSN0386-216X
1349-9203
DOI10.1252/kakoronbunshu.26.754

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Summary:エピタキシャル成長炉投入前処理として, オゾン超純水による保護酸化膜形成, または希弗酸による水素終端をシリコンウェーハに施した. エピタキシャル成長炉投入前処理前後で酸化膜厚さ (XPSによる酸素分析), 清浄度 (XPSによるO, C分析) とマイクロラフネス (AFM) を評価した. その後, エピタキシャル成長炉に投入し, 水素中加熱処理を行った. 保護酸化膜を形成したウェーハでは950℃, 5min, 水素終端ウェーハでは950℃, 1min程度の水素中加熱で清浄かつ平滑な表面が得られた. さらに, モノシランガスにより, シリコンエピタキシャル成長を行った. 950℃, 1.01×105Paおよび4.00×104Paにおいて, 高品質エピタキシャル成長を得る低温成長プロセスを開発した.
ISSN:0386-216X
1349-9203
DOI:10.1252/kakoronbunshu.26.754