新規自己ドープ型水溶性導電性高分子の合成と特性評価

3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)の側鎖にアルキルスルホネート基を有するモノマーを新たに合成し，酸化重合することで新規自己ドープ型水溶性導電性高分子(S-PEDOT)を合成した．S-PEDOTは水に完全溶解し，重量平均分子量(Mw)と分子量分布はそれぞれ22,400 g/mol，15.4であった．また，S-PEDOTは結晶性を示し，結晶化度(Xc)は68.2%，結晶子サイズ(D100)は7.1 nmであった．S-PEDOT薄膜の膜厚(d＝33∼158 nm)を変化させたときのシート抵抗(Rs＝1670∼201 Ω/ )と全光線透過率(TT＝94.2∼69.2%)の関係から，透明電極...

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Published in高分子論文集 Vol. 75; no. 6; pp. 607 - 612
Main Authors 林, 定快, 工藤, 一希, 西山, 正一, 奥崎, 秀典, 箭野, 裕一
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 高分子学会 25.11.2018
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ISSN0386-2186
1881-5685
DOI10.1295/koron.2018-0022

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Abstract 3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)の側鎖にアルキルスルホネート基を有するモノマーを新たに合成し，酸化重合することで新規自己ドープ型水溶性導電性高分子(S-PEDOT)を合成した．S-PEDOTは水に完全溶解し，重量平均分子量(Mw)と分子量分布はそれぞれ22,400 g/mol，15.4であった．また，S-PEDOTは結晶性を示し，結晶化度(Xc)は68.2%，結晶子サイズ(D100)は7.1 nmであった．S-PEDOT薄膜の膜厚(d＝33∼158 nm)を変化させたときのシート抵抗(Rs＝1670∼201 Ω/ )と全光線透過率(TT＝94.2∼69.2%)の関係から，透明電極としての性能指数(FOM)は4.1であった．さらに，S-PEDOTの電気伝導度は315 S/cmに達することがわかった．
AbstractList 3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)の側鎖にアルキルスルホネート基を有するモノマーを新たに合成し，酸化重合することで新規自己ドープ型水溶性導電性高分子(S-PEDOT)を合成した．S-PEDOTは水に完全溶解し，重量平均分子量(Mw)と分子量分布はそれぞれ22,400 g/mol，15.4であった．また，S-PEDOTは結晶性を示し，結晶化度(Xc)は68.2%，結晶子サイズ(D100)は7.1 nmであった．S-PEDOT薄膜の膜厚(d＝33∼158 nm)を変化させたときのシート抵抗(Rs＝1670∼201 Ω/ )と全光線透過率(TT＝94.2∼69.2%)の関係から，透明電極としての性能指数(FOM)は4.1であった．さらに，S-PEDOTの電気伝導度は315 S/cmに達することがわかった．
Author 林, 定快
西山, 正一
奥崎, 秀典
箭野, 裕一
工藤, 一希
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  fullname: 林, 定快
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  fullname: 工藤, 一希
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PublicationYear 2018
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