ゲート酸化膜の絶縁破壊メカニズム

LSIの微細化・高性能化とともに、より高品質のゲート酸化膜形成が要求されている。しかし、その信頼性を左右する大きな要因の一つである酸化膜絶縁破壊のメカニズムについては、いまだ決定的な解が得られていない。本稿では、酸化膜絶縁破壊に関してこれまで報告されているモデルを概説し、続けて我々の最近の研究結果を紹介する。...

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Published in日本信頼性学会誌　信頼性 Vol. 19; no. 4; pp. 264 - 273
Main Authors 冨田, 孝之, 宇都宮, 裕人, 谷口, 研二, 鎌倉, 良成
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 日本信頼性学会 1997
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Summary:LSIの微細化・高性能化とともに、より高品質のゲート酸化膜形成が要求されている。しかし、その信頼性を左右する大きな要因の一つである酸化膜絶縁破壊のメカニズムについては、いまだ決定的な解が得られていない。本稿では、酸化膜絶縁破壊に関してこれまで報告されているモデルを概説し、続けて我々の最近の研究結果を紹介する。
ISSN:0919-2697
2424-2543
DOI:10.11348/reajshinrai.19.4_264