微小角入射X線回折法による窒化物半導体表面の構造解析

• Published in: Journal of Surface Analysis Vol. 24; no. 1; pp. 56 - 60
• Main Authors: 本谷, 宗, 倉橋, 健一郎, 上原, 康
• Format: Journal Article
• Language: Japanese
• Published: 一般社団法人 表面分析研究会 2017
• ISSN: 1341-1756; 1347-8400
• DOI: 10.1384/jsa.24.56

製造品質安定化には，製品開発段階で品質を作り込むことが重要である．開発段階で不具合要因や品質低下要因を理解することはその第一歩となる．ここでは高電子移動度トランジスタ開発の中で生じた金属電極 ⁄ 半導体基板界面の接触抵抗変動現象を理解するために行った半導体表面の構造解析結果について報告する．高輝度放射光とダイナミクスレンジの大きいピクセルディテクタを併用した微小角入射X線回折測定の結果から，接触抵抗変動と連動した表面結晶構造変化を明確にすることができた．