微細MOSFETのスケーリング限界

次世代のMOSFET(チャネル長L=0.1～0.01μm) が遭遇するさまざまな問題点を明確にし,それらを乗り越える超微細素子として,基板不純物原子濃度の低いSOI型の素子が有望であることを指摘した.素子微細化は各種の揺らぎの問題で制限され,現在の回路設計を踏襲する限りL=0.02μm程度のチヤネル長の素子が微細化の限界であることを示した....

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Published in応用物理 Vol. 60; no. 11; pp. 1107 - 1114
Main Authors 谷口, 研二, 園田, 賢一郎, 浜口, 智尋
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1991
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Summary:次世代のMOSFET(チャネル長L=0.1～0.01μm) が遭遇するさまざまな問題点を明確にし,それらを乗り越える超微細素子として,基板不純物原子濃度の低いSOI型の素子が有望であることを指摘した.素子微細化は各種の揺らぎの問題で制限され,現在の回路設計を踏襲する限りL=0.02μm程度のチヤネル長の素子が微細化の限界であることを示した.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.60.1107