アモルファスSi薄膜デバイス

近年,新しいアモルファス半導体材料-アモルファスSi-を用いた太陽電池,薄膜トランジス久撮像デバイスなどの研究が,国内および国外で活発化している.そしてこれらデバイスは,各種既存デバイスが有する欠点を補う可能性を秘めたデバイスであるという評価を受けている.本解説では,各種アモルファスSiデバイスの現況を紹介するとともに,なぜこれらヂバイスが将来性豊かなのかといつ点を明らか1こし,さらに,これらが実用に耐え得るデバイスに進むために今後解決すべき主要課題について述べる....

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Published in応用物理 Vol. 51; no. 7; pp. 816 - 820
Main Authors 松村, 正清, 古川, 静二郎
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1982
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Summary:近年,新しいアモルファス半導体材料-アモルファスSi-を用いた太陽電池,薄膜トランジス久撮像デバイスなどの研究が,国内および国外で活発化している.そしてこれらデバイスは,各種既存デバイスが有する欠点を補う可能性を秘めたデバイスであるという評価を受けている.本解説では,各種アモルファスSiデバイスの現況を紹介するとともに,なぜこれらヂバイスが将来性豊かなのかといつ点を明らか1こし,さらに,これらが実用に耐え得るデバイスに進むために今後解決すべき主要課題について述べる.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.51.816