クラスターイオンビーム法によるせん亜鉛鉱型MnTe薄膜およびCd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜の磁気光学特性

せん亜鉛鉱型MnTe薄膜およびCd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜をクラスターイオンビー(ICB)法によりサファイア基板上に成長させ,その光学的,磁気光学的特性について研究を行った.せん亜鉛鉱型MnTe薄膜は,Mn2+イオンのd-d遷移による磁気円二色性(MCD)を示した.Cd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜は,サブバンド準位への磁気光学遷移によるMCDピークを示し,このピークは井戸幅が薄くなるにつれてブルーシフトした.このサプバンド準位の井戸幅依存性はKronig-Penneyバンドモデルによる計算結果とよい一致を示し,良好な量子サイズ効果が現われていることがわかった....

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Published in応用物理 Vol. 62; no. 2; pp. 147 - 150
Main Authors 小柳, 剛, 阿武, 宏明, 松原, 覚衛
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1993
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Summary:せん亜鉛鉱型MnTe薄膜およびCd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜をクラスターイオンビー(ICB)法によりサファイア基板上に成長させ,その光学的,磁気光学的特性について研究を行った.せん亜鉛鉱型MnTe薄膜は,Mn2+イオンのd-d遷移による磁気円二色性(MCD)を示した.Cd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜は,サブバンド準位への磁気光学遷移によるMCDピークを示し,このピークは井戸幅が薄くなるにつれてブルーシフトした.このサプバンド準位の井戸幅依存性はKronig-Penneyバンドモデルによる計算結果とよい一致を示し,良好な量子サイズ効果が現われていることがわかった.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.62.147