FIBを用いたTEM試料作製技術

FIBは特定領域の加工ができることから，TEM試料作製において必要不可欠となっている．しかしながら，GaイオンビームによってTEM試料の表面にダメージ層が形成されるため，FIBのみでは高品質のTEM試料作製ができない．本稿では，FIBの後処理としてArイオンミリングを応用する方法を紹介し，その効果について示す．応用事例として，化合物半導体，セラミックス材料の高分解能像，電子線ホログラフィーによる半導体観察を示す．また，近年のFIBの展開について紹介する．...

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Published in顕微鏡 Vol. 46; no. 3; pp. 188 - 194
Main Authors 松田, 竹善, 平山, 司, 佐々木, 宏和, 加藤, 丈晴
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 日本顕微鏡学会 30.09.2011
Subjects
FIB
セラミックス
化合物半導体
電子線ホログラフィー
高分解能像
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ISSN1349-0958
2434-2386
DOI10.11410/kenbikyo.46.3_188

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Summary:FIBは特定領域の加工ができることから，TEM試料作製において必要不可欠となっている．しかしながら，GaイオンビームによってTEM試料の表面にダメージ層が形成されるため，FIBのみでは高品質のTEM試料作製ができない．本稿では，FIBの後処理としてArイオンミリングを応用する方法を紹介し，その効果について示す．応用事例として，化合物半導体，セラミックス材料の高分解能像，電子線ホログラフィーによる半導体観察を示す．また，近年のFIBの展開について紹介する．
ISSN:1349-0958
2434-2386
DOI:10.11410/kenbikyo.46.3_188