ブロック共重合体ミクロドメインへの電荷移動錯体の導入

ラメラ状ミクロ相分離構造をもつポリスチレンーポリイソプレンジブロック共重合体について, バルクに対してはテトラチアフルバレン (TTF) /7, 7, 8, 8-テトラシアノキノジメタン (TCNQ) 電荷移動錯体を, 膜表面および超薄膜に対してはTTF/ヨウ素電荷移動錯体を一方のミクロドメイン相へ選択的に導入することを試みた. 選択溶媒を用いることにより, 膜表面および超薄膜に対しては有効な選択的電荷移動錯体導入方法を見いだし, バルクに対してもその可能性を示すことができた....

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Published in高分子論文集 Vol. 59; no. 10; pp. 669 - 671
Main Authors 長谷川, 博一, 松下, 忠史, 橋本, 竹治
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 高分子学会 2002
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ISSN0386-2186
1881-5685
DOI10.1295/koron.59.669

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Summary:ラメラ状ミクロ相分離構造をもつポリスチレンーポリイソプレンジブロック共重合体について, バルクに対してはテトラチアフルバレン (TTF) /7, 7, 8, 8-テトラシアノキノジメタン (TCNQ) 電荷移動錯体を, 膜表面および超薄膜に対してはTTF/ヨウ素電荷移動錯体を一方のミクロドメイン相へ選択的に導入することを試みた. 選択溶媒を用いることにより, 膜表面および超薄膜に対しては有効な選択的電荷移動錯体導入方法を見いだし, バルクに対してもその可能性を示すことができた.
ISSN:0386-2186
1881-5685
DOI:10.1295/koron.59.669