II-VI族希薄磁性半導体を用いた光アイソレーター

II-VI族希薄磁性半導体Cd1-x-yMnxHgyTe1-zSez単結晶 (0<x≤0.50, 0≤y≤0.30, 0≤z≤D.02) は, 630～1047nm帯用光アイソレーター材料として優れた材料である.筆者らは,光通信システムのキーデバイスであるエルビウム添加光増幅器の低ノイズ励起光源 (980nm) 用高性能ファラデー回転子の工業的量産法を開発した.溶媒移動型帯溶融法 (ZM法)による結晶成長技術の最新の結果および光アイソレーターへの応用について紹介する....

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Published in応用物理 Vol. 70; no. 3; pp. 300 - 303
Main Authors 小野寺, 晃一, 大場, 裕行, 川村, 卓也
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 2001
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Summary:II-VI族希薄磁性半導体Cd1-x-yMnxHgyTe1-zSez単結晶 (0<x≤0.50, 0≤y≤0.30, 0≤z≤D.02) は, 630～1047nm帯用光アイソレーター材料として優れた材料である.筆者らは,光通信システムのキーデバイスであるエルビウム添加光増幅器の低ノイズ励起光源 (980nm) 用高性能ファラデー回転子の工業的量産法を開発した.溶媒移動型帯溶融法 (ZM法)による結晶成長技術の最新の結果および光アイソレーターへの応用について紹介する.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.70.300