液滴エビタキシー法によるGaAs量子ドットの作製

液滴エピタキシー法によるGaAs量子ドツトの作製に関する最近の研究成果を紹介する.この方法の特徴は,結晶成長のみの簡単なプロセスで,大きさの良くそろった極微細構造を加工損傷に自己形成的に作れ,またStranski-Kraatanov型の成長機構に基づく量子ドットの自己形成的な作製法と異なり, GaAs-GaAlAsのような格子整合系にも適用できることである....

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Published in応用物理 Vol. 65; no. 9; pp. 926 - 930
Main Author 小口, 信行
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 1996
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ISSN0369-8009
2188-2290
DOI10.11470/oubutsu1932.65.926

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Summary:液滴エピタキシー法によるGaAs量子ドツトの作製に関する最近の研究成果を紹介する.この方法の特徴は,結晶成長のみの簡単なプロセスで,大きさの良くそろった極微細構造を加工損傷に自己形成的に作れ,またStranski-Kraatanov型の成長機構に基づく量子ドットの自己形成的な作製法と異なり, GaAs-GaAlAsのような格子整合系にも適用できることである.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.65.926