銅酸化物超伝導体における不純物束縛状態

銅酸化物超伝導体中に不純物原子をドープすると,そのまわりに準粒子の束縛状態が形成される.走査型トンネル顕微鏡技術の進歩と相俟って,この生活状態の理解がここ数年で飛躍的に進んだ.本稿では,もっとも理解の進んでいるZn不純物近傍の束縛状態について,実験結果とその理論的解釈を紹介する....

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Published in日本物理学会誌 Vol. 58; no. 4; pp. 254 - 257
Main Authors 土浦, 宏紀, 小形, 正男, 田仲, 由喜夫, 柏谷, 聡
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 一般社団法人 日本物理学会 05.04.2003
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Summary:銅酸化物超伝導体中に不純物原子をドープすると,そのまわりに準粒子の束縛状態が形成される.走査型トンネル顕微鏡技術の進歩と相俟って,この生活状態の理解がここ数年で飛躍的に進んだ.本稿では,もっとも理解の進んでいるZn不純物近傍の束縛状態について,実験結果とその理論的解釈を紹介する.
ISSN:0029-0181
2423-8872
DOI:10.11316/butsuri1946.58.254