APA (7th ed.) Citation

樋口, 和., 白石, 正., & 海野, 晃. (1993). 原子層エピタキシー法によるInN半導体薄膜. 日本金属学会会報, 32(9), 613-615. https://doi.org/10.2320/materia1962.32.613

Chicago Style (17th ed.) Citation

樋口, 和人, 正 白石, and 晃男 海野. "原子層エピタキシー法によるInN半導体薄膜." 日本金属学会会報 32, no. 9 (1993): 613-615. https://doi.org/10.2320/materia1962.32.613.

MLA (9th ed.) Citation

樋口, 和人, et al. "原子層エピタキシー法によるInN半導体薄膜." 日本金属学会会報, vol. 32, no. 9, 1993, pp. 613-615, https://doi.org/10.2320/materia1962.32.613.