原子層エピタキシー法によるInN半導体薄膜

Saved in:
Bibliographic Details
Published in日本金属学会会報 Vol. 32; no. 9; pp. 613 - 615
Main Authors 樋口, 和人, 白石, 正, 海野, 晃男
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 社団法人 日本金属学会 20.09.1993
Online AccessGet full text
ISSN0021-4426
1884-5835
DOI10.2320/materia1962.32.613

Cover

More Information
ISSN:0021-4426
1884-5835
DOI:10.2320/materia1962.32.613