次世代半導体デバイススケーリングの新たな障壁 宇宙線中性子ソフトエラー

大気圏高層からの,微弱ではあるが1GeVに至る高いエネルギーをもった中性子が最小加工寸法0.1μm以下に迫る半導体デバイスのスケーリングに伴い,地上における電子デバイスのソフトエラーの増加を招く可能性が懸念され始めている.高度情報化社会を支える半導体デバイスのスケーリングの障壁になりかねないという視点から,本稿では,宇宙線中性子に起因するソフトエラーの現状と将来について,幅広い文献調査に基づき,われわれの実験結果,およびシリコンデバイス内の核破砕反応と電荷収集にi関するモンテカルロシミュレーション結果から議論した....

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Published in応用物理 Vol. 70; no. 11; pp. 1308 - 1312
Main Authors 伊部, 英史, 矢作, 保夫, 片岡, 文雄, 江藤, 晃, 日高, 光守, 斉藤, 良和, 亀山, 英明
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 公益社団法人 応用物理学会 10.11.2001
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Summary:大気圏高層からの,微弱ではあるが1GeVに至る高いエネルギーをもった中性子が最小加工寸法0.1μm以下に迫る半導体デバイスのスケーリングに伴い,地上における電子デバイスのソフトエラーの増加を招く可能性が懸念され始めている.高度情報化社会を支える半導体デバイスのスケーリングの障壁になりかねないという視点から,本稿では,宇宙線中性子に起因するソフトエラーの現状と将来について,幅広い文献調査に基づき,われわれの実験結果,およびシリコンデバイス内の核破砕反応と電荷収集にi関するモンテカルロシミュレーション結果から議論した.
ISSN:0369-8009
2188-2290
DOI:10.11470/oubutsu1932.70.1308