Mesure statistique de la résistance de contact d'une grille sérigraphiée pour cellules solaires au silicium multicristallin

• Published in: Revue des énergies renouvelables Vol. 13; no. 4; pp. 633 - 638
• Main Authors: CHELLI, F, TATA-IGHIL, R, SALI, S, OUSSALAH, S, BOUMAOUR, M, TAYOUR, F, SI-AHMED, Y
• Format: Journal Article
• Language: French; English
• Published: Alger Centre de développement des énergies renouvelables 01.12.2010; Renewable Energy Development Center (CDER)
• Subjects: cellule solaire sinx; Cellules solaires. Cellules photoélectrochimiques; Conversion photovoltaïque; Energie; Energie naturelle; Energie solaire; métallisation par sérigraphie; résistance de contact; Sciences appliquees; Sciences exactes et technologie; silicium multi cristallin; tlm; Métallisation par sérigraphie; Résistance de contact; TLM; Cellule solaire SiN; Silicium multi cristallin
• ISSN: 1112-2242

La métallisation par sérigraphie est une des étapes les plus importantes dans la technologie d’élaboration des cellules solaires pour une production à grande échelle. Néanmoins, elle demeure dépendante de plusieurs paramètres variables. Pour le silicium multi cristallin, tout changement dans le procédé de réalisation des cellules solaires influence directement l’optimisation du profil de recuit de la métallisation par sérigraphie. Les plaquettes de silicium multi cristallin subissent toutes les étapes classiques de réalisation des cellules solaires comme le nettoyage chimique et la décontamination, une diffusion au phosphore et le dépôt du nitrure de silicium SiNx par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Il y a juste le dépôt du contact Argent Ag sur la face avant de la plaquette. Nous avons utilisé la pâte de sérigraphie Ag Ferro 3349. La grille métallique comporte six (06) motifs TLM (Transfer Length Method) pour les mesures de la résistance de contact. Le principal but de ce travail est le contrôle de la qualité du contact Ag/SiNx/n+-Si dans les cellules solaires au silicium multicristallin. Les mesures TLM révèlent une cartographie des valeurs de la résistance de contact pour chaque température. Le profil optimal de température de recuit est autour de 750 °C.