MEMS表面加工中材料层厚度电学测试结构

TN407; 微机电系统( MEMS)表面加工工艺中的材料层厚度是决定MEMS器件性能的重要参数之一,如多晶硅结构层厚度和牺牲层厚度,直接决定了 MEMS器件的机构性能和结构的纵向移动范围,因此对材料层厚度进行测试和工艺控制监视是极具意义的。当前的材料层厚度测试大多采用光机械的方法,因其测试方法复杂、设备昂贵、测试时间长且很难集成到一个工艺控制监视( PCM )系统中,提出一种新颖的材料层厚度电学测试结构,该测试结构具有结构简单、测量方便并且便于MEMS测试系统集成的特点。通过软件对测试结构和测试模型进行闭环验证,结果表明,模拟值与理论值有较好的一致性。...

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Bibliographic Details
Published in南京信息工程大学学报 no. 6; pp. 522 - 526
Main Authors 钱晓霞, 李伟华
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京工程学院 工业中心,211167%东南大学 MEMS教育部重点实验室,南京,210096 2013
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ISSN1674-7070

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Summary:TN407; 微机电系统( MEMS)表面加工工艺中的材料层厚度是决定MEMS器件性能的重要参数之一,如多晶硅结构层厚度和牺牲层厚度,直接决定了 MEMS器件的机构性能和结构的纵向移动范围,因此对材料层厚度进行测试和工艺控制监视是极具意义的。当前的材料层厚度测试大多采用光机械的方法,因其测试方法复杂、设备昂贵、测试时间长且很难集成到一个工艺控制监视( PCM )系统中,提出一种新颖的材料层厚度电学测试结构,该测试结构具有结构简单、测量方便并且便于MEMS测试系统集成的特点。通过软件对测试结构和测试模型进行闭环验证,结果表明,模拟值与理论值有较好的一致性。
ISSN:1674-7070