退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响

采用磁控溅射法制备了厚度为6．5μm的Mn1.95 C00.77Ni0.28O4组分的薄膜材料，把材料分别在400％，500％，600％，700％，800％下进行后退火处理．结果表明，室温下的负电阻温度系数d295值随退火温度增加先增大后减小，而电阻率p295则是随退火温度增加逐渐减小的；在相同频率下，500％退火样品的归一化噪声谱密度（Sv·Vg/V2）最小，700％退火样品的归一化噪声谱密度最大．退火温度越高会造成越多的晶体缺陷，从而降低有效导热系数、增大时间常数丁和器件噪声．...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in红外与毫米波学报 Vol. 35; no. 3; pp. 287 - 293
Main Author 张飞 欧阳程 周炜 吴敬 高艳卿 黄志明
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海,200083 2016
Subjects
C00.77Ni0.28O4薄膜
Mn1.95
响应率
器件性能
探测率
退火温度
退火温度
Mn1.95Co0.77Ni0.28O4薄膜
detectivty
Mn1.95Co0.77 Ni0.28O4 thin films
detector properties
annealing temperature
响应率
探测率
responsivity
器件性能
Online AccessGet full text
ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.007

Cover

More Information
Summary:采用磁控溅射法制备了厚度为6．5μm的Mn1.95 C00.77Ni0.28O4组分的薄膜材料，把材料分别在400％，500％，600％，700％，800％下进行后退火处理．结果表明，室温下的负电阻温度系数d295值随退火温度增加先增大后减小，而电阻率p295则是随退火温度增加逐渐减小的；在相同频率下，500％退火样品的归一化噪声谱密度（Sv·Vg/V2）最小，700％退火样品的归一化噪声谱密度最大．退火温度越高会造成越多的晶体缺陷，从而降低有效导热系数、增大时间常数丁和器件噪声．
Bibliography:31-1577/TN
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.03.007