铟掺杂氧化锌．氧化硅纳米电缆芯．壳异质结构的制备及表征

利用碳热还原反应气相沉积法制备了铟掺杂氧化锌-氧化硅纳米电缆芯-壳异质结构．X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及X射线能谱（EDS）研究表明，纳米电缆内芯为结晶完好的单晶纤锌矿结构，外壳包覆一层氧化硅非晶层．纳米电缆直径为30—60nm，长径比大于100．掺杂纳米异质结构的生长机理与传统的金属晶种辅助气-液-固（VLS）机理有所不同．这种掺杂纳米异质结构有望作为理想的结构单元应用于纳米器件领域．...

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Published inWuli huaxue xuebao Vol. 25; no. 9; pp. 1721 - 1724
Main Author 齐俊杰 杨亚 廖庆亮 黄运华 刘娟 张跃
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083%北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083 2009
北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083
Subjects
In-掺杂
氧化锌
生长机理
纳米电缆
纳米结构
In-掺杂
生长机理
In-doping
Growth mechanism
纳米电缆
纳米结构
Nanostructure
ZnO
Nanocable
氧化锌
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ISSN1000-6818

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Summary:利用碳热还原反应气相沉积法制备了铟掺杂氧化锌-氧化硅纳米电缆芯-壳异质结构．X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及X射线能谱（EDS）研究表明，纳米电缆内芯为结晶完好的单晶纤锌矿结构，外壳包覆一层氧化硅非晶层．纳米电缆直径为30—60nm，长径比大于100．掺杂纳米异质结构的生长机理与传统的金属晶种辅助气-液-固（VLS）机理有所不同．这种掺杂纳米异质结构有望作为理想的结构单元应用于纳米器件领域．
Bibliography:Nanostructure; In-doping; ZnO; Nanocable; Growth mechanism
11-1892/06
O641
In-doping
Growth mechanism
Nanostructure
ZnO
Nanocable
ISSN:1000-6818