朗缪尔铁电聚合物薄膜的电学特性：高热释电系数和低介电常数

研究了利用朗缪尔技术（LB）生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa^-1/2.这表明利用LB技术生长的P（VDF-TrFE）薄膜是热释电探测器的优良候选材料.优值因子的提高可能来源于LB薄膜的良好结晶性和分子链在平面内的高度有序性....

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Published inHong wai yu hao mi bo xue bao Vol. 28; no. 6; pp. 401 - 404
Main Author 刘浦锋 王建禄 田莉 孟祥建 褚君浩
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 2009
Subjects
优值因子
朗缪尔薄膜
铁电共聚物薄膜
铁电共聚物薄膜
朗缪尔薄膜
优值因子
ferroelectric copolymer film
figure of merit
Langmuir-Blodgett film
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ISSN1001-9014
DOI10.3321/j.issn:1001-9014.2009.06.001

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Summary:研究了利用朗缪尔技术（LB）生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa^-1/2.这表明利用LB技术生长的P（VDF-TrFE）薄膜是热释电探测器的优良候选材料.优值因子的提高可能来源于LB薄膜的良好结晶性和分子链在平面内的高度有序性.
Bibliography:31-1577/TN
Langmuir-Blodgett film
TN252
ferroelectric copolymer film; Langmuir-Blodgett film; figure of merit
ferroelectric copolymer film
figure of merit
O484.42
ISSN:1001-9014
DOI:10.3321/j.issn:1001-9014.2009.06.001