InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性

O472%O484; 在12 ～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(oB2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(＜35 K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 36; no. 3; pp. 311 - 315
Main Author 张豫徽 宋志勇 陈平平 林铁 田丰 康亭亭
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 2017
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海200062%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083%上海理工大学材料科学与工程学院,上海,200093
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
Subjects
弱反局域化效应
界面/表面态
磁阻效应
锑化铟
锑化铟
magnetoresistance
weak antilocalization effect
磁阻效应
surface/interface states
界面/表面态
InSb
弱反局域化效应
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2017.03.011

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Summary:O472%O484; 在12 ～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(oB2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(＜35 K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
Bibliography:InSb, magnetoresistance, weak antilocalization effect, surface/interface states
We experimentally investigated the thickness-dependent magnetoresistance properties of InSb films in the temperature range of 12 x 300 K. The samples were grown on semi-insulating GaAs （100） substrates by molecular beam epitaxy （MBE）. It was observed that the thick InSb only can show the semi-classical B2 dependence magnetoresistance resulted from the Lorentz deflection of carriers. At the same time, we found that weak antilocalization （WAL） effect can be much enhanced by reducing the sample＇ s thickness （ with the thickness N 0.1 p,m）. The thin sample＇ s WAL magnetoresistance plot can be well fitted by Hikan-Larkin-Nagaoka （HLN） model, which demonstrates that the obseved WAL effect for thin InSb is with a 2-dimension character, which can be associated with the surface/interface states of InSb.
31-1577/TN
ZHANG Yu-Hui1＇2, SONG Zhi-Yong2＇3, CHEN Ping-Ping2, LIN Tie2, TIAN Feng1 , KANG Ting-Ting2. （ 1. School of Mate.rials Science and
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2017.03.011