AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用

为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间....

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Published inHong wai yu hao mi bo xue bao Vol. 29; no. 6; pp. 401 - 405
Main Author 李永富 唐恒敬 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083 2010
中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083%中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
中国科学院研究生院,北京,100039%中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
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ISSN1001-9014

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Summary:为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.
Bibliography:scanning capacitance microscopy(SCM); laser beam induced current(LBIC); photo-carrier diffusion; guard-ring; InP/InGaAs
photo-carrier diffusion
31-1577/TN
laser beam induced current(LBIC)
scanning capacitance microscopy(SCM)
guard-ring
InP/InGaAs
TN2
ISSN:1001-9014