液相沉积法制备ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜及其光电性质

采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡（ITO）导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见（UV-Vis）吸收分光光度计、荧光（PL）光谱仪及表面光电压谱（SPS）研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响.研究结果表明：ZnO纳米棒阵列表面包覆CdS纳米颗粒后,其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象证实,通过与CdS复合可显著提高ZnO纳米棒阵列在可见光区的光电转换性能;随着CdS纳米颗粒沉积时间的延长,复合纳米棒阵列薄膜在大于383nm波长区域的光电...

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Published inWuli huaxue xuebao Vol. 26; no. 9; pp. 2575 - 2580
Main Author 付冬伟 程轲 庞山 杜祖亮
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 河南大学特种功能材料教育部重点实验室,河南,开封,475004 2010
Subjects
ZnO/CdS纳米棒阵列
光电特性
液相沉积法
电荷转移过程
表面光电压谱
液相沉积法
表面光电压谱
光电特性
ZnO/CdS纳米棒阵列
电荷转移过程
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Summary:采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡（ITO）导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见（UV-Vis）吸收分光光度计、荧光（PL）光谱仪及表面光电压谱（SPS）研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响.研究结果表明：ZnO纳米棒阵列表面包覆CdS纳米颗粒后,其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象证实,通过与CdS复合可显著提高ZnO纳米棒阵列在可见光区的光电转换性能;随着CdS纳米颗粒沉积时间的延长,复合纳米棒阵列薄膜在大于383nm波长区域的光电压强度逐渐减弱,而在小于383nm波长区域的光电压强度逐渐增强.用两种不同的电荷产生和分离机制对这一截然相反的光响应过程进行了详细的讨论和解释.
Bibliography:11-1892/06
Photo-electric property
Solution deposition
Charge transfer process
O484
ZnO/CdS nanorod array; Solution deposition; Surface photovoltage spectrum; Photo-electric property; Charge transfer process
O649
Surface photovoltage spectrum
ZnO/CdS nanorod array
ISSN:1000-6818