集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

• Published in: 中国工程科学 Vol. 25; no. 1; pp. 79 - 87
• Main Authors: 何金江, 吕保国, 贾倩, 丁照崇, 刘书芹, 罗俊锋, 王兴权
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 中国工程院战略咨询中心 20.02.2023; 高等教育出版社有限公司; 有研亿金新材料有限公司,北京 102200; 集成电路关键材料国家工程研究中心,北京 100088%中国有研科技集团有限公司,北京 100088
• Subjects: 溅射靶材; 薄膜; 高纯金属; 集成电路; 金属化
• ISSN: 1009-1742
• DOI: 10.15302/J-SSCAE-2023.01.003

高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。