主从型D触发器的动态功耗分析

TP331%TN431; 主从型D触发器的动态功耗同触发器内部节点上的信号跃迁情况和节点电容有关.基于D触发器的电路结构与MOS管参数,本文对主从型D触发器各个节点电容进行了计算.利用对各节点电容的计算值,便可估算在桌一激励输入序列下的D触发器的动态功耗.Pspice模拟证实了该一动态功耗估算的准确性.搞清了D触发器内部诸结点电容与MOS管参数之间的关系亦为降低它的动态功耗提供了参考依据....

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Published in浙江大学学报(理学版) Vol. 30; no. 1; pp. 35 - 40
Main Authors 王伦耀, 吴训威
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 宁波大学,电路与系统研究所,浙江,宁波,315211 2003
浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310028
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ISSN1008-9497
DOI10.3321/j.issn:1008-9497.2003.01.009

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Summary:TP331%TN431; 主从型D触发器的动态功耗同触发器内部节点上的信号跃迁情况和节点电容有关.基于D触发器的电路结构与MOS管参数,本文对主从型D触发器各个节点电容进行了计算.利用对各节点电容的计算值,便可估算在桌一激励输入序列下的D触发器的动态功耗.Pspice模拟证实了该一动态功耗估算的准确性.搞清了D触发器内部诸结点电容与MOS管参数之间的关系亦为降低它的动态功耗提供了参考依据.
ISSN:1008-9497
DOI:10.3321/j.issn:1008-9497.2003.01.009