Hot electron magnetophonon effect in n-type epitaxial films of GaAs

• Published in: Solid state communications Vol. 6; no. 10; pp. 701 - 704
• Main Authors: Stradling, R.A., Wood, R.A.
• Format: Journal Article
• Language: English
• Published: Elsevier Ltd 01.01.1968
• ISSN: 0038-1098; 1879-2766
• DOI: 10.1016/0038-1098(68)90568-1

Differences of 20 per cent in magnetic field position are reported between the magnetophonon peaks found at low temperatures and moderate electric fields and the peaks observed at high temperatures with small electric fields indicating that energy relaxation at low temperatures occurs by electron capture at donors with optical phonon emission. Différences de 20 pour cent dans les valeurs du champ magnétique sont rapportée entre les maxima dans la résistance producés par l'effet magnetophonon qui sont trouvés à basse température et champs électriques d'intensité moyenne et les maxima observés à température elevée par des faibles champs électriques: Cette observation montre que les pertes d'energie à basse température sont produits par transitions sur les donneurs avec émission de phonons optiques.