Generation-recombination noise in double-injection diodes

• Published in: Solid-state electronics Vol. 12; no. 11; pp. 849 - 856
• Main Authors: Bilger, H.R., Worch, P.R., Lee, L.L., Nicolet, M.-A.
• Format: Journal Article
• Language: English
• Published: Elsevier Ltd 01.01.1969
• ISSN: 0038-1101; 1879-2405
• DOI: 10.1016/0038-1101(69)90041-0

A phenomenological approach is given which extends the g-r noise theory to a non-linear device. This approach is applied to a long double-injection diode in three modes of operation: Ohmic regime, semiconductor regime, and insulator regime. Analytic approximations for the carrier concentration and electric field profiles and computer solutions to a master differential equation are used for the evaluation of the noise. Experimental evidence is presented which supports the essential features of the derivation. On décrit une méthode que étend la validité de la théorie du bruit g-r à un element non-linéaire. Cette méthode est appliquée à une longue diode à double-injection en trois modes d'opération: le régime ohmique, le régime semiconducteur, et le régime isolateur. Des approximations analytiques sont employées pour les profiles de concentration des porteurs de charge et du champ éléctrique ainsi que des solutions numériques d'une équation-maître differentielle. Des faits expérimentaux sont présentés qui supportent l'essentiel de la dérivation. Ein phänomenologischer Ansatz wird beschrieben, der die Theorie des Generations-Rekombinationsrauschens auf nichtlineare Elemente ausdehnt. Der Ansatz wird auf eine lange Doppelinjektionsdiode in den folgenden drei Arbeitsbereichen angewandt: Ohmscher Bereich, Halbleiterbereich, Isolatorbereich. Analytische Näherungen für die Profile der Ladungsträgerkonzentrationen und die elektrischen Feldstärken sowie numerische Lösungen einer allgemeinen Differentialgleichung werden zur Auswertung des Rauschens herbeigezonge. Die Hauptzüge der Ableitungen werden durch die beigegebenen experimentellen Befunde unterstützt.