DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100)
En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacústica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda, los espectros Raman generalmente muestr...
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| Published in | Momento no. 51; pp. 31 - 44 |
|---|---|
| Main Authors | , , , |
| Format | Journal Article |
| Language | English Portuguese |
| Published |
Universidad Nacional de Colombia
01.07.2015
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| Subjects | |
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| Abstract | En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacústica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda, los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la posición 226 cm−1 y uno un poco más débil en 237 cm−1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiativa que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación. |
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| AbstractList | Resumen En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacóstica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda. Los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la position 226 cm-1 y uno un poco más débil en 237 cm-1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiactiva que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación. En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacústica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda, los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la posición 226 cm−1 y uno un poco más débil en 237 cm−1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiativa que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación. |
| Author | Acevedo Rivas, Alvaro Pulzara Mora, Alvaro Bernal Correa, Roberto Rosales Rivera, Andrés |
| AuthorAffiliation | Universidad del Sinú Universidad Nacional de Colombia |
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| EISSN | 2500-8013 |
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| Issue | 51 |
| Keywords | Photoacoustic non-radiative recombination recombinación no radiactiva Fotoacústica Semiconductors Semiconductores |
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| Publisher | Universidad Nacional de Colombia |
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| References | Bedoya, A.; Marón, E.; Mansanares, A.; Zambrano-Arjona, M.; Riech, I.; Calderon, A. 2015; 614 Puech, P.; Landa, G.; Carles, R.; Fontaine, C. 1997; 82 Maia, R.; Siqueira, M.; Araujo, R.; Machado, K.; Stolf, S. 2015; 426 Rosencwaig, A.; Gersho, A. 1976; 47 Morita, M. 1981; 20 Satour, F.; Zegadi, A. 2012; 132 Poffo, C.; Lima, J. de; Souza, S.; Triches, D.; Grandi, T.; Biasi, R. de 2013; 413 Fujii, Y.; Moritani, A.; Nakai, J. 1981; 20 Penña-Rodriguez, G.; Calderon, A.; Hernadez, R. A. Munñoz 2006; 38 Espinosa-Arbelóaez, D. G.; Velóazquez-Hernaóndez, R.; Petricioli-Carranco, J.; Quintero-Torres, R.; Rodríguez-Garda, M. E. 2011; 8 Lim, J.-T.; Choi, J.-G.; Bak, Y. H.; Park, S.-H.; Kim, U. 1997; 31 El-Qahtani, Z.; Badawi, A.; Easawi, K.; Al-Hosiny, N.; Abdallah, S. 2014; 20 Abosheiasha, H.; Saafan, S. 2015; 36 Rojas-Trigos, J.; Calderóon, A.; Marón, E. 2011; 46 Hamaguchi, C. 2010 Poffo, C.; Lima, J. de; Souza, S.; Triches, D.; Nogueira, T.; Borges, Z.; Manzato, L. 2014; 1076 Ersching, K.; Campos, C.; Lima, J. de; Grandi, T.; Souza, S.; Pizani, P. 2010; 122 Pulzara-Mora, A.; Melóendez-Lira, M.; Jimóenez-Sandoval, S.; Lopez-Lopez, M. 2006; 80 Pessoa, O.; Cesar, C. L.; Patel, N. A.; Vargas, H.; Ghizoni, C. C.; Miranda, L. C. M. 1986; 59 |
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| SourceType | Open Website Open Access Repository Index Database |
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| SubjectTerms | Fotoacústica PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY recombinación no radiativa Semiconductores |
| Title | DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100) |
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