DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100)

• Published in: Momento no. 51; pp. 31 - 44
• Main Authors: Pulzara Mora, Alvaro, Bernal Correa, Roberto, Acevedo Rivas, Alvaro, Rosales Rivera, Andrés
• Format: Journal Article
• Language: English; Portuguese
• Published: Universidad Nacional de Colombia 01.07.2015
• Subjects: Fotoacústica; PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY; recombinación no radiativa; Semiconductores; Photoacoustic; non-radiative recombination; recombinación no radiactiva; Fotoacústica; Semiconductors; Semiconductores
• ISSN: 0121-4470; 2500-8013
• DOI: 10.15446/mo.n51.56188

En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacústica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda, los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la posición 226 cm−1 y uno un poco más débil en 237 cm−1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiativa que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación.