Elektronenstrahlverdampfen von Silizium Eine vielfältige Depositionsmethode für Anwendungen in der Photovoltaik, für Displays oder MEMS

Summary Electron beam evaporation of silicon High rate electron beam evaporation of silicon is a versatile technique to deposit silicon layers with tailored properties on large areas in a cost effective manner. A unique feature of the process is the wide range of deposition rates that can be selecte...

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Published inVakuum in Forschung und Praxis : Zeitschrift für Vakuumtechnologie, Oberflèachen und Dünne Schichten Vol. 31; no. 2; pp. 20 - 24
Main Authors Amkreutz, Daniel, Muske, Martin
Format Journal Article
LanguageGerman
Published 01.03.2019
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Summary:Summary Electron beam evaporation of silicon High rate electron beam evaporation of silicon is a versatile technique to deposit silicon layers with tailored properties on large areas in a cost effective manner. A unique feature of the process is the wide range of deposition rates that can be selected. This technique allows for the deposition of nanometer thin layers with high reproducibility on the one hand, on the other hand layers with thicknesses of several tens of micrometers and low film stress can be deposited within minutes. Due to the high quality of the deposited silicon it is possible to form ultra‐thin layers as contacts in solar cells or for TFT applications or several 10 micrometer thick films as absorbers in LPC solar cells or as “construction” material for MEMS. This article reports on the deposition process, the material properties and illustrates the applicability based on examples from our current research activities. Zusammenfassung Hochraten‐Elektronenstrahlverdampfen von Silizium ist eine flexible Möglichkeit, temperaturstabile Siliziumschichten mit definierbarer Morphologie wirtschaftlich auf großen Flächen zu deponieren. Ein herausragendes Merkmal der Technologie ist der unübertroffen große, einstellbare Bereich der Depositionsrate zwischen wenigen Nanometern pro Minute bis hin zu mehreren hundert Nanometern pro Minute. Hierdurch lassen sich sowohl dünnste Ausgangsschichten für TFTs in der Displaytechnik oder als Kontaktschicht für Solarzellen bis hin zu mehreren 10 Mikrometer dicken Schichten als „Baumaterial für MEMS” mit hoher Genauigkeit herstellen. In diesem Artikel werden der Depositionsprozess sowie die Materialeigenschaften vorgestellt sowie die Vorteile dieser Technologie anhand von Beispielen aus der aktuellen Forschung beschrieben.
ISSN:0947-076X
1522-2454
DOI:10.1002/vipr.201900710