nBn红外探测器研究进展

TN2; nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势....

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Bibliographic Details
Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 1; pp. 139 - 150
Main Authors 石倩, 张书魁, 王建禄, 褚君浩
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院大学杭州高等研究院物理与光电工程学院,浙江杭州310024 2022
中国科学院大学杭州高等研究院物理与光电工程学院,浙江杭州310024
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
复旦大学芯片与系统前沿技术研究院上海200433%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
复旦大学光电研究院上海市智能光电与感知前沿科学研究基地,上海200433
Subjects
nBn红外探测器;Sb基III-V族半导体;二类超晶格;碲镉汞
type?Ⅱ superlattice
HgCdTe
Sb?based Ⅲ?V semiconductor
nBn infrared detector
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.010

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Summary:TN2; nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.010